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台積電。(中評社 資料照) |
中評社台北4月18日電/美國政府正式啟動規模530億美元的晶片法,但因提出申請補助的要求條件過於嚴苛,引發外界抨擊,韓國經濟研究院(KERI)日前分析指出,晶片法補貼申請規則存在四大有毒條款,這可能會阻礙晶片公司在美國蓋工廠。
根據《韓國時報》 (The Korea Times)報導,KERI稱美國晶片法存在4大問題,應予協調修改,首先是允許美國國防部等國家安全機構進入半導體生產設施,這可能會導致公司技術和商業機密外流,直接影響國家安全。
其次是業者必須與聯邦政府分享超額利潤,美國商務部要求獲得超過1.5億美元補貼的晶片公司,必須與美國政府分享高達75%的超額利潤,這項規定限制了公司追求利潤的目標,可能對投資的獲利能力產生負面影響。
第三點是要求申請補貼企業報送詳細會計資料,得提供主要產品、產量、前10大客戶、生產設備以及原材料等敏感數據,此項要求也存在技術和商業秘密洩露的可能性。
第四點是必須同意在10年內不得擴大在中國的產能,可能對三星和SK海力士現有中國工廠的生產力、獲利能力產生負面影響。
KERI強調,晶片法補貼規則必須建立在互惠和公平的基礎上,以促進美國與韓企之間的共同利益。 |