在Nand閃存領域，三星電子已經開始為批量生產第六代（120層以上）產品做准備。
不過，雖然目前還擁有巨大的技術差距，但韓國半導體行業一致認為，中國的技術發展速度對韓國半導體行業產生了巨大威脅。報道認為，如果中國正式開始大批量供應半導體產品，半導體的價格必然會出現下降。全球市場研究公司DRAMeXchange預計，明年DRAM的價格將比今年下降15%-20%，Nand閃存的價格將會下降25%-30%之多。漢陽大學融合電子工程系樸在勤教授表示，“雖然需求群體并不相同，但由於心理因素等的影響，價格下滑將不可避免”。
現在三星電子已經開始引進生產10納米級以下新一代DRAM的極紫外光刻（EUV）生產綫，SK海力士也將在年底開始量產96層4D Nand閃存半導體。三星電子存儲芯片事業部負責營銷的專務全世元（音）表示，“我們將擴大高端DRAM生產綫，持續主導超高速、大容量、超省電的存儲芯片發展趨勢”。 |
